MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R950CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 4.3 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-3847
Nº ref. fabric.:
IPD50R950CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.83V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La CoolMOS CE de 500 V de Infineon es una plataforma optimizada de rendimiento y precio que permite apuntar a aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al tiempo que cumple los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento de bajo coste disponible en el mercado.

Alta resistencia del diodo del cuerpo

Carga de recuperación inversa reducida

Control sencillo del comportamiento de conmutación

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