MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R500CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 7.6 A, N, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3049
Nº ref. fabric.:
IPD50R500CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

500V CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18.7nC

Tensión directa Vf

0.85V

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon 500V CoolMOS™ serie CE de MOSFET de potencia de canal N. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Esta serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET SuperJunction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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