MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9039
Nº ref. fabric.:
IPD50R650CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Serie

CoolMOS CE

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

650mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

47W

Tensión directa Vf

0.84V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Fácil de usar/conducir

Resistencia a conmutación muy alta

Apto para aplicaciones de grado estándar

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