MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R2K0CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4379
Nº ref. fabric.:
IPD50R2K0CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

500V CoolMOS CE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.83V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.42 mm

Altura

2.35mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon de 500 V Cool MOS CE es una plataforma optimizada para precio de rendimiento que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos.

Proporciona una resistencia muy alta a la conmutación

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