MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 2.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4378
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
370,00 €
(exc. IVA)
447,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 06 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 0,148 € | 370,00 € |
| 5000 - 5000 | 0,14 € | 350,00 € |
| 7500 + | 0,131 € | 327,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4378
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.65mm | |
| Anchura | 6.42 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.65mm | ||
Anchura 6.42 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon de 500 V Cool MOS CE es una plataforma optimizada para precio de rendimiento que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos.
Proporciona una resistencia muy alta a la conmutación