MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R800CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4900
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R800CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
15,00 €
(exc. IVA)
18,25 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 7400 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,60 € | 15,00 € |
| 125 - 225 | 0,462 € | 11,55 € |
| 250 - 600 | 0,432 € | 10,80 € |
| 625 - 1225 | 0,402 € | 10,05 € |
| 1250 + | 0,372 € | 9,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4900
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R800CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD50R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.83V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD50R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.83V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Resistencia de diodo de cuerpo alto
Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )
Carga de puerta reducida (Q g )
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V N, TO-252 de 3 pines