MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50R650CEAUMA1, VDSS 500 V, ID 9 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9041
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*
17,70 €
(exc. IVA)
21,425 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 2500 Envío desde el 23 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,708 € | 17,70 € |
| 125 - 225 | 0,672 € | 16,80 € |
| 250 - 600 | 0,658 € | 16,45 € |
| 625 - 1225 | 0,616 € | 15,40 € |
| 1250 + | 0,573 € | 14,33 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9041
- Nº ref. fabric.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 650mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.84V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.41mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 650mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.84V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.41mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.
Fácil de usar/conducir
Resistencia a conmutación muy alta
Apto para aplicaciones de grado estándar
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 500 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-252 de 3 pines