MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 500 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4899
Nº ref. fabric.:
IPD50R800CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD50R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.4nC

Tensión directa Vf

0.83V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

40W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

Infineon 500V CoolMOS™ CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precio que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de superunión de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Resistencia de diodo de cuerpo alto

Carga de recuperación inversa reducida (Q rr )

Carga de puerta reducida (Q g )

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