MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 13.8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
218-3088
Nº ref. fabric.:
IPW60R280P6FKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

13.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolMOS P6

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ P6. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, LCD y TV PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y SAI.

Mayor resistencia de mosfet dv/dt

Resistencia a conmutación muy alta

Fácil de usar/conducir

Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos

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