MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R280P6FKSA1, VDSS 600 V, ID 13.8 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 218-3089
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R280P6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 218-3089
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R280P6FKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.13mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ P6. CoolMOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. Se utiliza en etapas PFC, etapas PWM de conmutación dura y etapas de conmutación resonantes para, por ejemplo, PC Silverbox, adaptador, LCD y TV PDP, iluminación, servidor, telecomunicaciones y SAI.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Resistencia a conmutación muy alta
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
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