MOSFET Infineon IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A., TO-247 de 3 pines

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Código RS:
218-3093
Nº ref. fabric.:
IRF100P218XKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

483 A.

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Serie

StrongIRFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,00128 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.8V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

MOSFET Infineon de potencia de canal N de 100 V. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta.

Muy bajo nivel de RDS(on)
Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM)
Qrr. Optimizado
Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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