MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF100P218XKMA1, VDSS 100 V, ID 483 A, TO-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
218-3093
Nº ref. fabric.:
IRF100P218XKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

483A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00128Ω

Modo de canal

Mejora

MOSFET de potencia de canal N de 100 V de Infineon. Este MOSFET es ideal para aplicaciones de alta frecuencia de conmutación.

RDS(on) muy bajo

Excelente carga de puerta x RDS(on) (FOM)

Qrr optimizado

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

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