MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 128 A, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
218-3117
Nº ref. fabric.:
IRFS3307ZTRRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

128A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

110nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Altura

9.65mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon HEXFET serie de MOSFET de potencia de canal N sencillo integrado con encapsulado de tipo D2PAK (TO-263).

Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha

Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados

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