MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3307ZTRLPBF, VDSS 75 V, ID 128 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 130-0997
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3307ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
18,66 €
(exc. IVA)
22,58 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 810 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,732 € | 18,66 € |
| 25 - 45 | 3,55 € | 17,75 € |
| 50 - 120 | 3,394 € | 16,97 € |
| 125 - 245 | 3,176 € | 15,88 € |
| 250 + | 2,984 € | 14,92 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 130-0997
- Nº ref. fabric.:
- IRFS3307ZTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 128A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 128A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 75 V Mejora, TO-263 de 3 pines