MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines

Código RS:: 219-4225
Nº ref. fabric.:: SCTL90N65G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

24,71 €

(exc. IVA)

29,90 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	24,71 €	74.130,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 219-4225
Nº ref. fabric.:: SCTL90N65G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTL90N65G2V

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancias bajas
Contacto de detección de fuente para mayor eficiencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	PowerFLAT 8 x 8 HV
Serie	SCTL90N
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,24 O
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines

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