MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R750P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
219-6001
Nº ref. fabric.:
IPN80R750P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

SOT-223

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

7.2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Anchura

3.7 mm

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 800V V Infineon es una solución perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura de MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de listas de materiales y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

Fácil de manejar y diseñar

Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menor rendimiento en campo

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar los diseños

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