MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R900P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 219-6003
Nº ref. fabric.:: IPN80R900P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R900P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
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50 - 90	0,985 €	9,85 €
100 - 240	0,943 €	9,43 €
250 - 490	0,901 €	9,01 €
500 +	0,839 €	8,39 €

*precio indicativo

Código RS:: 219-6003
Nº ref. fabric.:: IPN80R900P7ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	800V
	Serie	CoolMOS P7
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	900mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	7W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.8mm
	Longitud	6.7mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.7 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V
	Serie CoolMOS P7
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 7W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.8mm
	Longitud 6.7mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.7 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPN80R900P7ATMA1

La serie de MOSFET de superunión CoolMOS P7 de 800V V Infineon es una solución perfecta para aplicaciones SMPS de baja potencia ya que satisface completamente las necesidades del mercado en cuanto a rendimiento, facilidad de uso y relación precio/rendimiento. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidos adaptador y cargador, controlador de LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial. Esta nueva familia de productos ofrece hasta un 0,6 % de ganancia de eficiencia y una temperatura de MOSFET de 2 °C a 8 °C inferior en comparación con su predecesor, así como piezas de la competencia probadas en aplicaciones de retorno típicas. También permite diseños de mayor densidad de potencia mediante pérdidas de conmutación más bajas y mejores productos DPAK R DS(on). En general, ayuda a los clientes a ahorrar costes de listas de materiales y a reducir el esfuerzo de ensamblaje.

Fácil de manejar y diseñar

Mejor rendimiento de producción al reducir los fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menor rendimiento en campo

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar los diseños

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN80R900P7ATMA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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