MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR48ZTRL, VDSS 55 V, ID 62 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7347
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 25 - 45 | 2,428 € | 12,14 € |
| 50 - 120 | 2,184 € | 10,92 € |
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- Código RS:
- 220-7347
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR48ZTRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 91W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 91W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon AUIRFR48ZTRL está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Se utiliza en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzados
Resistencia de encendido ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
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