MOSFET y Diodo, N-Canal Infineon BSZ100N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7362
- Nº ref. fabric.:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
19,20 €
(exc. IVA)
23,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 01 de octubre de 2027
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,96 € | 19,20 € |
| 100 - 180 | 0,911 € | 18,22 € |
| 200 - 480 | 0,874 € | 17,48 € |
| 500 - 980 | 0,835 € | 16,70 € |
| 1000 + | 0,777 € | 15,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7362
- Nº ref. fabric.:
- BSZ100N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.1mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.1mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET y diodo de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ100N06NSATMA1
Características y ventajas:
• La RDS(on) máxima de 1 mΩ minimiza las pérdidas por conducción bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 40 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La carga de puerta típica de 12 nC permite un comportamiento de conmutación controlado
• La disipación de potencia máxima de 36 W mantiene la carga térmica brevemente
• El límite de puerta-fuente de 20 V proporciona espacio para circuitos de accionamiento
Aplicaciones
• Ideal para la conmutación de la etapa de salida del convertidor dc-dc
• Se utiliza con medios puentes de accionamiento por motor que requieren alta corriente
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y conmutación de carga
• Se utiliza para la regulación del punto de carga en sistemas compactos
¿Qué intervalo de temperatura puede tolerar en funcionamiento?
¿Qué método de montaje es necesario para el montaje?
¿Cuántos contactos de conexión están disponibles para el diseño de la placa de circuito impreso?
¿Qué modo de conducción de canal emplea?
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 40 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSDSON de 8 pines
