MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPZ40N04S5L4R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 220-7464
- Nº ref. fabric.:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,674 € | 10,11 € |
| 75 - 135 | 0,64 € | 9,60 € |
| 150 - 360 | 0,613 € | 9,20 € |
| 375 - 735 | 0,587 € | 8,81 € |
| 750 + | 0,547 € | 8,21 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7464
- Nº ref. fabric.:
- IPZ40N04S5L4R8ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.05mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 20V-40V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades y alcanzar RDS(on) hasta 0.6mΩ Optimos5 40V. La nueva tecnología MOSFET de referencia OptiMOS 6 y permite bajas pérdidas de conducción (El mejor rendimiento de RDSon de su clase), pérdidas de conmutación bajas (comportamiento de conmutación mejorado), recuperación de diodo mejorada y comportamiento EMC. Esta tecnología MOSFET se utiliza en los encapsulados más Advanced e innovadores para alcanzar el mejor rendimiento y calidad del producto. Para ofrecer lo último en flexibilidad de diseño, los MOSFET con calificación de automoción están disponibles en una variedad de encapsulados para satisfacer una amplia gama de necesidades. Infineon ofrece a los clientes un flujo constante de mejoras en capacidad de corriente, comportamiento de conmutación, fiabilidad, tamaño de encapsulado y calidad general. El puente medio integrado de reciente desarrollo es una solución de encapsulado innovadora y rentable para aplicaciones de cuerpo y accionamiento de motor.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
Canal N - modo de mejora - nivel lógico
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
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