MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IAUT200N08S5N023ATMA1, VDSS 80 V, ID 200 A, Mejora, PG-HSOF de 8 pines

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Código RS:
220-7366
Nº ref. fabric.:
IAUT200N08S5N023ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PG-HSOF

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 75V-100V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en varios encapsulados. Un rango RDS(on) de 1.2mΩ 190mΩ a CO2 mediante la reducción de las emisiones de 48V de automóviles acelera la adopción de la placa 48V y, por tanto, los generadores de arranque como los (Inversor principal), interruptores principales de la batería, convertidor dc-dc y auxiliares 48V. Para este mercado emergente, Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de automoción 80V y 100V, Que están alojados en diferentes tipos de paquetes como TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) y S308 (TSDSON-8), para proporcionar soluciones para diferentes requisitos de potencia, así como diferentes conceptos de refrigeración en el nivel de unidad de control electrónico (ECU). Junto a las aplicaciones 48V, los MOSFET 80V y 100V también se utilizan en iluminación de LED, inyección de combustible y carga inalámbrica en el vehículo.

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

RDS(on) ultrabajo

Prueba de avalancha al 100 %

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