MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPD65R190C7ATMA1, VDSS 700 V, ID 49 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7409
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R190C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7409
- Nº ref. fabric.:
- IPD65R190C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 49A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 72mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 49A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 72mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.
Tensión 650V
El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase
Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
Bajar QG de carga de compuerta
Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas
12 años de experiencia en fabricación en tecnología de súper unión
Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
Excelente calidad Cool MOS™
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