Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPDD60R080G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 83 A, DDPAK de 10 pines, 2elementos

Las tecnologías Infineon introducen el doble DPAK (DDPAK), el primer encapsulado de dispositivo de montaje en superficie (SMD) refrigerado por el lado superior para aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas del MOSFET G7 Cool MOS 600V Super Junction (SJ) de tecnología de alta tensión ya existente se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, lo que proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación dura de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.

Proporciona el mejor FOM RDS(on) x Eoss y RDS(on) x QG de su clase
Innovador concepto de refrigeración de la parte superior
Configuración de fuente Kelvin de contacto 4th integrada y fuente parásita baja inductancia
Capacidad TCOB de >> 2.000 ciclos, Conformidad con MSL1 y sin plomo total
Mayor eficiencia energética
El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar la temperatura Límites de PCB
La inductancia de fuente parásita reducida mejora la eficiencia y facilidad de uso de la e.
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Superar los más altos estándares de calidad