MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R080G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 83 A, Mejora, HDSOP de 10 pines

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Código RS:
220-7418
Nº ref. fabric.:
IPDD60R080G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

83A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HDSOP

Serie

C7 GOLD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

10

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

174W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Longitud

6.6mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

21.11mm

Anchura

2.35 mm

Estándar de automoción

No

Las tecnologías Infineon introducen el doble DPAK (DDPAK), el primer encapsulado de dispositivo de montaje en superficie (SMD) refrigerado por el lado superior para aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas del MOSFET G7 Cool MOS 600V Super Junction (SJ) de tecnología de alta tensión ya existente se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, lo que proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación dura de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.

Proporciona el mejor FOM RDS(on) x Eoss y RDS(on) x QG de su clase

Innovador concepto de refrigeración de la parte superior

Configuración de fuente Kelvin de contacto 4th integrada y fuente parásita baja inductancia

Capacidad TCOB de >> 2.000 ciclos, Conformidad con MSL1 y sin plomo total

Mayor eficiencia energética

El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar la temperatura Límites de PCB

La inductancia de fuente parásita reducida mejora la eficiencia y facilidad de uso de la e.

Permite soluciones de mayor densidad de potencia

Superar los más altos estándares de calidad

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