MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R150G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 45 A, Mejora, HDSOP de 10 pines
- Código RS:
- 220-7420
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,958 € | 19,79 € |
| 25 - 45 | 3,404 € | 17,02 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7420
- Nº ref. fabric.:
- IPDD60R150G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | C7 GOLD | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 10 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 95W | |
| Altura | 21.11mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie C7 GOLD | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 10 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 95W | ||
Altura 21.11mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Technologies presenta el doble DPAK (DDPAK), el primer encapsulado de dispositivo de montaje en superficie (SMD) refrigerado por el lado superior para aplicaciones SMPS de alta potencia como alimentación de PC, solar, servidor y telecomunicaciones. Las ventajas del MOSFET G7 Cool MOS 600V Super Junction (SJ) de tecnología de alta tensión ya existente se combinan con el innovador concepto de refrigeración de lado superior, lo que proporciona una solución de sistema para topologías de conmutación dura de alta corriente como PFC y una solución de eficiencia de gama alta para topologías LLC.
Proporciona el mejor FOM RDS(on) x Eoss y RDS(on) x QG de su clase
Innovador concepto de refrigeración de la parte superior
Configuración de fuente Kelvin de contacto 4th integrada y fuente parásita baja inductancia
Capacidad TCOB de >> 2.000 ciclos, Conformidad con MSL1 y sin plomo total
Mayor eficiencia energética
El desacoplamiento térmico de la placa y el semiconductor permite superar la temperatura Límites de PCB
La inductancia de fuente parásita reducida mejora la eficiencia y facilidad de uso de la e.
Permite soluciones de mayor densidad de potencia
Superar los más altos estándares de calidad
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