MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 5.7 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7444
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 220-7444
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Altura | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.6mm | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Altura 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última Cool MOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en el mercado de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de súper unión de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del productoa cc.JEDEC Standard
Tecnología de coste competitivo
Temperatura más baja
Alta es Drugedness
Permite frecuencias de conmutación más altas de gainsat de eficiencia
Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors
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