Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPSA70R2K0P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 5,7 A, IPAK (TO-251) de 3 pines
- Código RS:
- 220-7445
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)
0,458 €
(exc. IVA)
0,554 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
25 - 225 | 0,458 € | 11,45 € |
250 - 600 | 0,436 € | 10,90 € |
625 - 1225 | 0,426 € | 10,65 € |
1250 - 2475 | 0,399 € | 9,975 € |
2500 + | 0,321 € | 8,025 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7445
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R2K0P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Infineon Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La última Cool MOS P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en el mercado de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc. la nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET de súper unión de conmutación rápida, combinado con una excelente relación precio/rendimiento y un nivel de facilidad de uso de art. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*Qgand RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del productoa cc.JEDEC Standard
Tecnología de coste competitivo
Temperatura más baja
Alta es Drugedness
Permite frecuencias de conmutación más altas de gainsat de eficiencia
Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Validación del productoa cc.JEDEC Standard
Tecnología de coste competitivo
Temperatura más baja
Alta es Drugedness
Permite frecuencias de conmutación más altas de gainsat de eficiencia
Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,7 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 700 V |
Tipo de Encapsulado | IPAK (TO-251) |
Serie | CoolMOS™ P7 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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