MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 97 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7453
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
115,29 €
(exc. IVA)
139,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 90 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,843 € | 115,29 € |
| 60 - 120 | 3,651 € | 109,53 € |
| 150 + | 3,497 € | 104,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7453
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R090CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 97A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 97A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon 600V Cool MOS CFD7 es la última tecnología MOSFET de súper unión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS 7. El MOS CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69 % inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.
Diodo de cuerpo ultrarrápido
La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase
Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados
FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos
Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase
La mejor resistencia a conmutación dura de su clase
Máxima fiabilidad para topologías resonantes
Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento
Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET Infineon ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, VSON de 5 pines
- MOSFET Infineon IPW65R050CFD7AXKSA1 ID 211 A, PG-TO-247
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines