MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPW60R090CFD7XKSA1, VDSS 650 V, ID 97 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
220-7454
Nº ref. fabric.:
IPW60R090CFD7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

97A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Altura

21.1mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 600V Cool MOS CFD7 es la última tecnología MOSFET de súper unión de alta tensión de Infineon con diodo de cuerpo rápido integrado, que completa la serie Cool MOS 7. El MOS CFD7 frío se suministra con carga de puerta reducida (QG), comportamiento de desconexión mejorado y una carga de recuperación inversa (Qrr) de hasta un 69 % inferior en comparación con la competencia, así como el menor tiempo de recuperación inversa (trr) del mercado.

Diodo de cuerpo ultrarrápido

La mejor carga de recuperación inversa (Qrr) de su clase

Diodo inverso dv/dt y resistencia dif/dt mejorados

FOM RDS(on) x QG y Eoss más bajos

Las mejores combinaciones RDS(on)/package de su clase

La mejor resistencia a conmutación dura de su clase

Máxima fiabilidad para topologías resonantes

Máxima eficiencia con una extraordinaria facilidad de uso/equilibrio de rendimiento

Permite aumentar las soluciones de densidad de potencia

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