MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 109 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
220-7456
Nº ref. fabric.:
IPW60R099P6XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

109A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS P6

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

16.13mm

Altura

21.1mm

Anchura

5.21 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de súper unión MOS P6 Cool de Infineon está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. El MOS P6 frío cierra la brecha entre las tecnologías que se centran en ofrecer el máximo rendimiento y las que se concentran más en la facilidad de uso.

Carga de puerta reducida (Q g)

Mayor V el

Buena resistencia de diodo de cuerpo

R g integrado optimizado

dv/dt mejorado de 50V/ns

Calidad MOS™ fresca con más de 12 años de experiencia en fabricación en tecnología super junction

Eficiencia mejorada especialmente en condiciones de carga ligera

Mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación suave gracias al apagado anterior

Adecuado para topologías de conmutación dura y suave

Equilibrio optimizado de eficiencia y facilidad de uso y buena control del comportamiento de conmutación

Alta resistencia y mejor eficiencia

Calidad y fiabilidad excepcionales

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