Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 109 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos
- Código RS:
- 220-7457
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
4,965 €
(exc. IVA)
6,008 €
(inc.IVA)
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 8 | 4,965 € | 9,93 € |
10 - 18 | 4,465 € | 8,93 € |
20 - 48 | 4,17 € | 8,34 € |
50 - 98 | 3,92 € | 7,84 € |
100 + | 3,625 € | 7,25 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7457
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La familia de MOSFET de súper unión MOS P6 Cool de Infineon está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. El MOS P6 frío cierra la brecha entre las tecnologías que se centran en ofrecer el máximo rendimiento y las que se concentran más en la facilidad de uso.
Carga de puerta reducida (Q g)
Mayor V el
Buena resistencia de diodo de cuerpo
R g integrado optimizado
dv/dt mejorado de 50V/ns
Calidad MOS™ fresca con más de 12 años de experiencia en fabricación en tecnología super junction
Eficiencia mejorada especialmente en condiciones de carga ligera
Mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación suave gracias al apagado anterior
Adecuado para topologías de conmutación dura y suave
Equilibrio optimizado de eficiencia y facilidad de uso y buena control del comportamiento de conmutación
Alta resistencia y mejor eficiencia
Calidad y fiabilidad excepcionales
Mayor V el
Buena resistencia de diodo de cuerpo
R g integrado optimizado
dv/dt mejorado de 50V/ns
Calidad MOS™ fresca con más de 12 años de experiencia en fabricación en tecnología super junction
Eficiencia mejorada especialmente en condiciones de carga ligera
Mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación suave gracias al apagado anterior
Adecuado para topologías de conmutación dura y suave
Equilibrio optimizado de eficiencia y facilidad de uso y buena control del comportamiento de conmutación
Alta resistencia y mejor eficiencia
Calidad y fiabilidad excepcionales
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 109 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Serie | CoolMOS™ P6 |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,099 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4..5V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
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