MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V, ID 109 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7457
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 220-7457
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R099P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 109A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 109A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de súper unión MOS P6 Cool de Infineon está diseñada para permitir una mayor eficiencia del sistema al tiempo que es fácil de diseñar. El MOS P6 frío cierra la brecha entre las tecnologías que se centran en ofrecer el máximo rendimiento y las que se concentran más en la facilidad de uso.
Carga de puerta reducida (Q g)
Mayor V el
Buena resistencia de diodo de cuerpo
R g integrado optimizado
dv/dt mejorado de 50V/ns
Calidad MOS™ fresca con más de 12 años de experiencia en fabricación en tecnología super junction
Eficiencia mejorada especialmente en condiciones de carga ligera
Mayor eficiencia en aplicaciones de conmutación suave gracias al apagado anterior
Adecuado para topologías de conmutación dura y suave
Equilibrio optimizado de eficiencia y facilidad de uso y buena control del comportamiento de conmutación
Alta resistencia y mejor eficiencia
Calidad y fiabilidad excepcionales
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