Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW65R110CFDAFKSA1, VDSS 650 V, ID 99,6 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos
- Código RS:
- 220-7460
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (En un Tubo de 30)
4,559 €
(exc. IVA)
5,516 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
---|---|---|
30 - 30 | 4,559 € | 136,77 € |
60 - 120 | 4,331 € | 129,93 € |
150 + | 4,149 € | 124,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7460
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R110CFDAFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) es la segunda generación de Infineon de MOSFET de potencia MOS de alta tensión con calificación de automoción líderes del mercado. Además de los atributos conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la serie 650V Cool MOS CFDA proporciona también un diodo de cuerpo rápido integrado.
Primera tecnología de automoción con calificación 650V con diodo de cuerpo rápido integrado en el mercado
Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt
Valor de carga de puerta bajo Q g
q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo
Encendido reducido y tiempos de retardo de giro
Mayor margen de seguridad debido a una tensión de ruptura más alta
Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar
Mejor eficiencia de carga ligera
Menores pérdidas de conmutación
Mayor frecuencia de conmutación y/o ciclo de trabajo más alto posible
Alta calidad y fiabilidad
Sobreimpulso de tensión limitada durante conmutación dura: Di/dt de limitación automática y dv/dt
Valor de carga de puerta bajo Q g
q rr bajo en conmutación repetitiva en diodo de cuerpo & Q OSS bajo
Encendido reducido y tiempos de retardo de giro
Mayor margen de seguridad debido a una tensión de ruptura más alta
Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar
Mejor eficiencia de carga ligera
Menores pérdidas de conmutación
Mayor frecuencia de conmutación y/o ciclo de trabajo más alto posible
Alta calidad y fiabilidad
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 99,6 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,11 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Enlaces relacionados
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW65R110CFDAFKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW60R090CFD7XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPW60R099P6XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPDD60R150G7XTMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPZA60R060P7XKSA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPDD60R080G7XTMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPS60R1K0CEAKMA1, VDSS 650 V,...
- Transistor MOSFET & Diodo Infineon IRFHS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID...