MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRF6613TRPBF, VDSS 40 V, ID 40 A, Mejora, ISOMÉTRICO de 3 pines
- Código RS:
- 220-7474
- Nº ref. fabric.:
- IRF6613TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,51 € | 12,55 € |
| 25 - 45 | 2,258 € | 11,29 € |
| 50 - 120 | 2,108 € | 10,54 € |
| 125 - 245 | 1,958 € | 9,79 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7474
- Nº ref. fabric.:
- IRF6613TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Encapsulado | ISOMÉTRICO | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Anchura | 5.05 mm | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.68mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie StrongIRFET | ||
Encapsulado ISOMÉTRICO | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Anchura 5.05 mm | ||
Longitud 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.68mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble lado
Altura de encapsulado baja de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1-2 NH)
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
Alta capacidad de transporte de corriente
Rendimiento térmico óptimo
Forma compacta
Alta eficacia
Respetuosa con el medio ambiente
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