Transistor MOSFET & Diodo Infineon IRF6613TRPBF, VDSS 40 V, ID 40 A, DirectFET ISOMETRIC, 2elementos
- Código RS:
- 220-7474
- Nº ref. fabric.:
- IRF6613TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
2,03 €
(exc. IVA)
2,46 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
5 - 20 | 2,03 € | 10,15 € |
25 - 45 | 1,828 € | 9,14 € |
50 - 120 | 1,706 € | 8,53 € |
125 - 245 | 1,584 € | 7,92 € |
250 + | 1,016 € | 5,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7474
- Nº ref. fabric.:
- IRF6613TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble lado
Altura de encapsulado baja de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1-2 NH)
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
Alta capacidad de transporte de corriente
Rendimiento térmico óptimo
Forma compacta
Alta eficacia
Respetuosa con el medio ambiente
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Corriente nominal alta
Capacidad de refrigeración de doble lado
Altura de encapsulado baja de 0,7 mm
Encapsulado de inductancia parásita baja (1-2 NH)
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
Alta capacidad de transporte de corriente
Rendimiento térmico óptimo
Forma compacta
Alta eficacia
Respetuosa con el medio ambiente
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 40 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Serie | StrongIRFET |
Tipo de Encapsulado | DirectFET ISOMETRIC |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,0035 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 20V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
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