MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTP067N65S3H, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

10,08 €

(exc. IVA)

12,20 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponibilidad limitada
  • Disponible(s) 486 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Nuestras existencias actuales son limitadas y los proveedores prevén escasez de productos.
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 185,04 €10,08 €
20 - 1984,345 €8,69 €
200 +3,77 €7,54 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
221-6742
Nº ref. fabric.:
NTP067N65S3H
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

NTP067N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

67mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

266W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

16.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4.7 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta inferior. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.

Carga de puerta ultrabaja

Baja capacitancia de salida efectiva: 691 pF

100 % a prueba de avalancha

Enlaces relacionados