MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex DMP68D0LFB-7B, VDSS 65 V, ID 192 mA, Mejora, X1-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2864
- Nº ref. fabric.:
- DMP68D0LFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*
6,50 €
(exc. IVA)
8,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,13 € | 6,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-2864
- Nº ref. fabric.:
- DMP68D0LFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 192mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 65V | |
| Encapsulado | X1-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.21W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 1.08mm | |
| Anchura | 0.68 mm | |
| Altura | 0.53mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 192mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 65V | ||
Encapsulado X1-DFN | ||
Serie DMP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.21W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 1.08mm | ||
Anchura 0.68 mm | ||
Altura 0.53mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 65 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- DiodesZetex AEC-Q101 Diodo Avalancha 40 V X1-DFN, 2 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, X1-DFN1006-3 de 3 pines
