MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN1150UFB-7B, VDSS 12 V, ID 1.4 A, Mejora, X1-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 790-4583
- Nº ref. fabric.:
- DMN1150UFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 0,193 € | 9,65 € |
| 500 - 2450 | 0,184 € | 9,20 € |
| 2500 - 4950 | 0,176 € | 8,80 € |
| 5000 - 9950 | 0,17 € | 8,50 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 790-4583
- Nº ref. fabric.:
- DMN1150UFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.08mm | |
| Altura | 0.48mm | |
| Anchura | 0.68 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.08mm | ||
Altura 0.48mm | ||
Anchura 0.68 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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