MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 407 mA, Mejora, X1-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 222-2845
- Nº ref. fabric.:
- DMN62D4LFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 222-2845
- Nº ref. fabric.:
- DMN62D4LFB-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 407mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | X1-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 0.64mm | |
| Altura | 0.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.04 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 407mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado X1-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 0.64mm | ||
Altura 0.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.04 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 65 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 65 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, X1-DFN de 3 pines
