MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 31.8 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- Código RS:
- 222-2876
- Nº ref. fabric.:
- DMT6015LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
360,00 €
(exc. IVA)
440,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 11 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,18 € | 360,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-2876
- Nº ref. fabric.:
- DMT6015LFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28.4W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.8 mm | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerDI3333 | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28.4W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.8 mm | ||
Longitud 3.05mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
El encapsulado de factor de forma pequeño y térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad
Flanco sumergible para mejorar la inspección óptica
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PowerDI3333 de 8 pines
