MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT6015LFVW-7, VDSS 60 V, ID 31.8 A, Mejora, PowerDI3333 de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

9,15 €

(exc. IVA)

11,075 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1675 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 250,366 €9,15 €
50 - 750,358 €8,95 €
100 - 2250,255 €6,38 €
250 - 9750,249 €6,23 €
1000 +0,162 €4,05 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-2877
Nº ref. fabric.:
DMT6015LFVW-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

DMT

Encapsulado

PowerDI3333

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

28.4W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

3.3mm

Longitud

3.05mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.8 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

Baja resistencia

El encapsulado de factor de forma pequeño y térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad

Flanco sumergible para mejorar la inspección óptica

Enlaces relacionados

Recently viewed