MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA60R180C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

13,88 €

(exc. IVA)

16,795 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 455 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 202,776 €13,88 €
25 - 452,498 €12,49 €
50 - 1202,332 €11,66 €
125 - 2452,164 €10,82 €
250 +2,028 €10,14 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4642
Nº ref. fabric.:
IPA60R180C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

180mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Capaz de conducción inversa

Carga de puerta baja, carga de salida baja

Resistencia de conmutación superior

Apto para aplicaciones de grado estándar conforme a los estándares JEDEC

Enlaces relacionados

Recently viewed