MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP60R099C7XKSA1, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4700
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R099C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,77 € | 9,54 € |
| 20 - 48 | 4,53 € | 9,06 € |
| 50 - 98 | 4,145 € | 8,29 € |
| 100 - 198 | 3,58 € | 7,16 € |
| 200 + | 3,305 € | 6,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4700
- Nº ref. fabric.:
- IPP60R099C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de Infineon, también conocidos como transistores MOSFET, son los acrónimo de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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