MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R1K4P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4709
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,479 € | 11,98 € |
| 125 - 225 | 0,369 € | 9,23 € |
| 250 - 600 | 0,345 € | 8,63 € |
| 625 - 1225 | 0,32 € | 8,00 € |
| 1250 + | 0,297 € | 7,43 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4709
- Nº ref. fabric.:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.7W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Altura | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.38 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.7W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.6mm | ||
Altura 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.38 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Diodo de protección ESD integrado
Excelente comportamiento térmico
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