MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPSA70R1K4P7SAKMA1, VDSS 700 V, ID 4 A, Mejora, TO-251 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4709
Nº ref. fabric.:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-251

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

22.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.38 mm

Longitud

6.6mm

Altura

6.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Diodo de protección ESD integrado

Excelente comportamiento térmico

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