MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMBF170R1K0M1XTMA1, VDSS 1700 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

8,62 €

(exc. IVA)

10,44 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 828 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 184,31 €8,62 €
20 - 483,575 €7,15 €
50 - 983,32 €6,64 €
100 - 1983,10 €6,20 €
200 +2,885 €5,77 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4849
Nº ref. fabric.:
IMBF170R1K0M1XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1700V

Encapsulado

TO-263

Serie

IMBF1

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC en un encapsulado de separación alta TO-263-7 está optimizado para topologías de retorno que se utilizan en fuentes de alimentación auxiliares conectadas a tensiones de enlace dc de 600 V a 1.000 V en numerosas aplicaciones de alimentación.

Optimizado para topologías de devolución de vuelo

Pérdida de conmutación extremadamente baja

Tensión de fuente de puerta de 12 V / 0 V compatible con controladores de retorno

DV/dt completamente controlable para optimización EMI

Encapsulado SMD con separación y separación mejoradas, > 7 mm

Enlaces relacionados