MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 3 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

534,00 €

(exc. IVA)

645,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 30 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 30000,178 €534,00 €
6000 +0,169 €507,00 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4921
Nº ref. fabric.:
IPN70R2K0P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN70R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.

Permite una temperatura de chip MOSFET más baja

Lo que conduce a una mayor eficacia en comparación con las tecnologías anteriores

Permite mejorar los factores de forma y los diseños de perfil estrecho

Enlaces relacionados