MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 6.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
217-2549
Nº ref. fabric.:
IPN70R750P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

IPN

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

750mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.7W

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.7mm

Longitud

6.7mm

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 Superjunction (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al CoolMOS™ P7 en SOT-223 en un ajuste perfecto para sus aplicaciones de destino.

Tecnología de superunión de rendimiento óptimo

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La mejor relación precio/rendimiento de su clase

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