MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
222-4686
Nº ref. fabric.:
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

6.3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.8mm

Anchura

3.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Excelente comportamiento térmico

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