MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R1K2P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4687
Nº ref. fabric.:
IPN70R1K2P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6.3W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.8mm

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Validación del producto conforme Estándar JEDEC

Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Excelente comportamiento térmico

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