MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R1K2P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 9.4 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4687
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,49 € | 12,25 € |
| 125 - 225 | 0,368 € | 9,20 € |
| 250 - 600 | 0,348 € | 8,70 € |
| 625 - 1225 | 0,324 € | 8,10 € |
| 1250 + | 0,299 € | 7,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4687
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.3W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.3W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. El último Cool MOS™ P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Excelente comportamiento térmico
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