MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 12.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 215-2525
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R360P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.080,00 €
(exc. IVA)
1.320,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,36 € | 1.080,00 € |
| 6000 + | 0,342 € | 1.026,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2525
- Nº ref. fabric.:
- IPN70R360P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 360mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 360mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas actualmente. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos. La última CoolMOS™P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.
Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss
Excelente comportamiento térmico
Diodo de protección ESD integrado
Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, SOT-223 de 3 pines
