MOSFET ROHM, Tipo P-Canal UT6JC5TCR, VDSS 60 V, ID 2.5 A, DFN, Mejora de 7 pines, 2, config. Doble

Disponibilidad de stock no accesible
Código RS:
223-6397
Nº ref. fabric.:
UT6JC5TCR
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

0.65mm

Longitud

2mm

Anchura

2mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado DFN1010-3W. Se utiliza principalmente para circuitos de conmutación, interruptor de carga de lado alto y controlador de relé.

Almohadilla de drenaje expuesta y ultra pequeña sin cable para un excelente encapsulado de plástico SMD de conducción térmica

Flancos sumergibles laterales para inspección de soldadura óptica automatizada

Certificación AEC-Q101

Enlaces relacionados