MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal HS8MA2TCR1, VDSS 30 V, ID 7 A, DFN, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
223-6203
Nº ref. fabric.:
HS8MA2TCR1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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