MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 7 A, DFN, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
223-6202
Nº ref. fabric.:
HS8MA2TCR1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.08Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

4W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.

Baja resistencia de encendido

Encapsulado pequeño para montaje superficial

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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