MOSFET, N-Canal Vishay SQA470CEJW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 2.25 A, SC-70 de 7 pines
- Código RS:
- 225-9937
- Nº ref. fabric.:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 225-9937
- Nº ref. fabric.:
- SQA470CEJW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | N-Channel 30 V | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Tensión directa Vf | 750mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.05mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie N-Channel 30 V | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Tensión directa Vf 750mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.05mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 2.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
MOSFET de potencia TrenchFET
Certificación AEC-Q101
Terminales de flanco sumergibles
100 % Rg y UIS probados
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